根据台积电北美技术研讨会的报告，代工台积电不需要使用高数值孔径极紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工艺上制造芯片。该公司在研讨会上介绍了 A14 工艺，称预计将于 2028 年投产。之前已经说过，A16 工艺将于 2026 年底出现，也不需要高 NA EUVL 工具。“从 2nm 到 A14，我们不必使用高 NA，但我们可以在加工步骤方面继续保持类似的复杂性，”据报道，业务发展高级副总裁 Kevin Zhang 在发布会上说。这与英特尔形成鲜明对比，英特尔在积极采用高 NA 方面一直积极实施一项计
关键字：
台积电 高NA EUV 光刻技术
三星电子和ASML曾于2023年12月宣布共同投资7亿欧元（约1万亿韩元），在大都市地区建立极紫外（EUV）研究中心，致力于打造面向未来的半导体制造设备以保持三星在先进工艺制程技术的领先性。针对这次合作，ASML特别与韩国土地住宅公社（LH）签订了在京畿道华城购买6个地块（约 19,000 平方米）的合同以建设研发中心。不过最近这项计划可能出现了一些变动， ASML最近出售了其中的两块地块，并且正在处理另外两块地块。尽管还剩下两个地块，但ASML似乎没有计划在剩余的空间里与三星建立研发中心。 ASML 是
关键字：
三星电子 ASML EUV
近日，英特尔前CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布加入xLight，担任董事会执行董事长，xLight官网上个月也公布了这一消息。xLight是一家面向极紫外（EUV）光刻机开发基于直线电子加速器的自由电子激光（FEL）技术的EUV光源系统的初创公司。xLight虽然规模很小，但其团队在光刻和加速器技术领域拥有多年的经验，不仅拥有来自斯坦福直线加速器和其他地方的粒子加速器资深研究人士，其首席科学家Gennady Stupakov博士还是2024年IEEE核能和等离子体科学学会粒子加速器科学
关键字：
英特尔 EUV ASML xLight LPP FEL 光刻
2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
关键字：
三星 1nm 芯片 台积电 NA EUV
近日，荷兰半导体设备制造商ASML宣布，计划在日本将其先进的极紫外光（EUV）芯片工具的员工人数扩增五倍，这一举措旨在加强其在全球半导体市场的竞争力。随着全球对高性能芯片需求的激增，ASML的这一决策不仅能提升其在日本的业务运营，也将进一步推动当地半导体产业的发展。ASML在全球的影响力不断增强，特别是在EUV技术方面，该技术被认为是制造下一代高性能芯片的关键。随着日本在半导体制造领域的持续投入，ASML的扩张计划将有助于促进当地人才的培养及技术的进步。此外，ASML的扩展计划正值日本其他半导体公司如Ra
关键字：
ASML EUV 芯片工具
对支持一切 AI 的先进节点芯片的需求迅速增长，这给该行业满足需求的能力带来了压力。从为大型语言模型提供支持的超大规模数据中心，到智能手机、物联网设备和自主系统中的边缘 AI，对尖端半导体的需求正在加速。但制造这些芯片在很大程度上依赖于极紫外 （EUV） 光刻技术，这已成为扩大生产规模的最大障碍之一。自 2019 年第一批商用 EUV 芯片下线以来，设备、掩模生成和光刻胶技术的稳步改进使该技术稳定下来。但是，虽然良率正在提高，但它们仍然落后于更成熟的光刻技术。工艺稳定性需要时刻保持警惕和微调。就 EUV
关键字：
EUV AI芯片
除了 ArF 空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。
关键字：
三星电子 EUV
据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆是足以生产数千个计算芯片的大型硅片。2024年，英特尔成为全球第一家接收这些先进设备的芯片制造商，与之前的ASML设备相比，这些机器可望制造出更小
关键字：
英特尔 ASML High-NA EUV
据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve
Carson指出，新的High NA
EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV
机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处
关键字：
英特尔 High NA EUV 光刻机 晶圆
英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生产数千颗运算芯片的大型硅片。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变，因英特尔采用上代极紫外光（EUV）曝光机时落后竞争对手。英特尔花了七年才将之前机器全面投产，导致领先优势被台积电超越。 生产
关键字：
英特尔 High-NA EUV
《科创板日报》25日讯，英特尔周一表示，去年率业界之先接收的两台ASML高数值孔径极紫外光EUV已投入生产。英特尔资深总工程师卡森表示，ASML这两台尖端机器已生产了3万片晶圆。
关键字：
英特尔 ASML EUV
最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥（BAT）激光器，这种激光器比现在行业内的标准 CO2 激光器将 EUV 光源提高约 10 倍。这一进步，可能为新一代「超越 EUV」的光刻系统铺平道路，从而生产出更小、更强大、制造速度更快、同时耗电量更少的芯片。简而言之，美国开发的新一代 BAT 激光器，远超现在的 EUV 光刻，能够将效率提升 10 倍。EUV 光刻有多强？目前来看，没有 EUV 光刻，业界就无法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻机也是历史上最复杂、最
关键字：
EUV
9 月，佳能推出了这项技术的第一个商业版本，有朝一日可能会颠覆最先进的硅芯片的制造。它被称为纳米压印光刻 （NIL），能够对小至 14 纳米的电路特征进行图案化，使逻辑芯片能够与目前正在量产的 Intel、AMD 和 Nvidia 处理器相媲美。NIL 系统提供的优势可能会挑战价值 1.5 亿美元的机器，这些机器在当今先进的芯片制造中占据主导地位，即极紫外 （EUV） 光刻扫描仪。如果佳能是正确的，其机器最终将以极低的成本提供 EUV 质量的芯片。该公司的方法与 EUV 系统完全不同，后者完全由总部位于荷
关键字：
纳米压印光刻技术 EUV 佳能 新芯片制造系统
荷兰芯片设备制造巨擘ASML执行长福克（Christophe Fouquet）表示，尽管中国大陆企业如中芯国际近年来在半导体领域有显着进展，但由于无法取得最先进的极紫外光微影设备（EUV），芯片制程技术仍落后台积电、三星等代工龙头约10至15年。Tom's Hardware报导，福克接受荷兰《鹿特丹商报》（NRC）采访时指出，中芯国际和华为仅使用深紫外光曝光设备（DUV），在成本效益上无法与台积电的制程技术相提并论。他认为，美国政府祭出的禁止EUV出口中国大陆禁令确实有效，让中国落后西方约15 年
关键字：
EUV DUV ASML
阿斯麦（ASML）近日发布2024年第三季度财报。2024年第三季度，ASML实现净销售额75亿欧元，毛利率为50.8%，净利润达21亿欧元。今年第三季度的新增订单金额为26亿欧元2，其中14亿欧元为EUV光刻机订单。ASML预计2024年第四季度的净销售额在88亿至92亿欧元之间，毛利率介于49%到50%，2024年全年的净销售额约为280欧元。ASML还预计，2025年的净销售额在300亿至350亿欧元之间，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度财报一览（除非特别说明，数字均以百万欧元
关键字：
ASML EUV 光刻机
nxe:3800e euv介绍
您好，目前还没有人创建词条nxe:3800e euv!
欢迎您创建该词条，阐述对nxe:3800e euv的理解，并与今后在此搜索nxe:3800e euv的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473